. Эта нанотехнология «самосборки» проводников внутри процессора Power благодаря формируемому безвоздушному пространству значительно сокращает нежелательное емкостное сопротивление. Следует заметить, что за последнее десятилетие данная новация — не единственное достижение научно-исследовательских лабораторий IBM. Ниже перечислены еще девять наиболее заметных успехов.

В 1997 г. алюминиевые проводники в полупроводниковых кристаллах были заменены медными, что привело к значительному росту производительности полупроводниковых наборов микросхем.

Возможность размещения кремния на диэлектрике (реализована в 1998 г.) позволила эффективно изолировать друг от друга миллионы транзисторов, применяющихся в современных наборах микросхем, что привело к снижению энергопотребления и повышению их производительности.

Технология напряженного кремния, предложенная в 2001 г., такова, что напряжение материала внутри кристалла уменьшает электрическое сопротивление и ускоряет протекание электронов через транзисторы, а это, в свою очередь, повышает производительность и снижает энергопотребление.

В 2001 г. также появился двухъядерный процессор POWER4, представленный в качестве компонента сервера Regatta. Двухъядерные наборы микросхем конкурирующих компаний поступили на рынок два года спустя.

В 2004 г. схемные элементы уменьшенного размера, примененные в рамках производственной технологии с использованием иммерсионной литографии, вывели IBM в число первых поставщиков компьютеров на рынке.

В июне 2006 г. был продемонстрирован набор микросхем на замороженном кремний-германиевом полупроводнике. При охлаждении почти до – 273 °С он продемонстрировал способность функционировать на тактовой частоте 550 ГГц.

В 2007 г. IBM объявила о создании новых материалов, для которых характерны невысокие токи утечки транзисторов. Эти диэлектрики интересны потому, что те продукты, куда они внедрены, имеют повышенные быстродействие и эффективность энергопотребления.

Благодаря переходу в феврале 2007 г. на скоростную память типа eDRAM корпорация IBM увеличивает более чем в 3 раза объем встроенной памяти процессорного набора микросхем и существенно повышает его производительность.

А уже в апреле 2007 г. IBM сообщила о создании «трехмерных» наборов микросхем на основе технологии through silicon vias (соединения сквозь кремний), обеспечивающей дополнительно к горизонтальной компоновке полупроводниковых элементов их вертикальное пакетирование. В результате этого длина критических внутрисхемных соединений сократилась приблизительно в 1000 раз.

Итак, за десять лет корпорация IBM сделала десять важных технологических шагов. Разве это не повод для восхищения?!

Г. Р.

394