Поздравляем!!!

Компания ViewSonic отметила первый год со дня открытия российского представительства!

По данным компании, за этот год ее обороты увеличились в 5 раз. Приоритетным направлением выбран рынок ЖК-мониторов. В России дистрибуторами продукции ViewSonic являются компании «Аэртон», «Дилайн», RRC и «Квазар-Микро».

Компания «Аквариус» продала 20-тысячный сервер AquaServer!

Юбилейным экземпляром стал AquaServer T125, который был поставлен платиновым партнером «Аквариуса» — фирмой «Степ Лоджик» интернет-провайдеру «Голден Телеком».

Компания Rover Computers выпустила 250 тыс. ноутбуков!

Юбилейным экземпляром оказалась модель Z500. Очевидно, в 2003 г. эта фирма сохранит первое место по объемам продаж ноутбуков на российском рынке: план на 2003 г. — 60 тыс. экземпляров — видимо, будет превышен на 10 тыс. (окончательные итоги на момент написания заметки не были известны). Ответа на вопрос о том, когда же российские производители начнут заказывать собственные модели, а не выбирать из имеющихся конфигураций, пока нет. Собственный дизайн окупается только при продажах 30—40 тыс. ноутбуков в месяц. Пока эта цифра недостижима для отдельных компаний, так как соответствует всему российскому рынку ноутбуков.

Windows в телефоне

На российском рынке уже два года продаются коммуникаторы — устройства, по размерам сопоставимые с КПК, но выполняющие также и функции сотового телефона. А вот смартфоны, т. е. устройства размером с телефон, дополненные функциями КПК, припоздали. Более того, все существовавшие в 2003 г. модели базировались на ОС Symbian. Компании Microsoft никак не удавалось продвинуть свою ОС на рынок телефонов. Думаю, редмондскому гиганту пришлось предпринять нетривиальные шаги, чтобы найти себе компанию, которая может кардинально изменить ситуацию. Во второй половине года Motorola покинула концерн Symbian и осенью представила свой первый телефон под управлением ОС Windows Mobile. В России продажи модели Motorola MPx200 решено начать в конце декабря.

Поскольку обе компании уделили анонсированию новинки большое внимание, по-видимому, они намерены всерьез заняться российским рынком смартфонов. Логично предположить, что начнется борьба за потребителя между производителями устройств с Symbian OS и Windows Mobile, а значит, россияне имеют шанс не остаться в хвостовом вагоне поезда, идущего в страну новых технологий.

Однако хватит прогнозов. Несколько слов о начинке нового смартфона: в нем применен 200-МГц процессор OMAP серии 310 производства компании TI, объем ОЗУ и ПЗУ — по 32 Мбайт, пользователю доступна 10-Мбайт область во флэш-памяти. Цветной дисплей с 2,2-дюймовой диагональю отображает 65 536 цветов, разрешение 120х176 точек. Разъем расширения SDIO совместим с картами памяти SD и MMC, а также периферией в формате SD. Смартфон работает на частотах 900/1800/1900 мГц, стандарт GSM. Поддерживается передача данных через GPRS и сообщений MMS.

В телефоне предустановлены приложения Pocket Outlook, Pocket Internet Explorer, Windows Media Player и MSN. Они дают возможность работать с электронной почтой, Интернетом, просматривать видеофильмы и прослушивать МР3-файлы, а также обмениваться мгновенными сообщениями. Предусмотрена синхронизация с ПК через USB- или ИК-порты.

Думаю, большинство имеющихся программ для КПК будут переписаны и для этого смартфона, только придется обходиться без пера — экран несенсорный, поэтому навигация приспособлена под управление одной рукой.

Открытия по плану

Научная работа сродни высокому искусству — нельзя сделать по заказу открытие точно к намеченной дате. Однако производителям микросхем уже более десяти лет удается как по часам выполнять «закон Мура». Так 24 ноября 2003 г. Марк Бор, директор компании Intel по технологическим процессам и интеграции, сообщил о создании его фирмой микросхемы памяти типа SRAM по 65-нм техпроцессу.

Маска, я вас знаю?

Какие же ухищрения позволяют достигать такой миниатюризации? Напомним, что в процессе изготовления излучение падает на маску (шаблон), определяющую структуру будущей микросхемы, а затем через фокусирующую систему попадает на кремниевую пластину. Законы физики строго ограничивают минимальные размеры теневых и засвеченных участков — они должны составлять величины порядка длины волны. «Сжать» свет позволяет применение фазированных масок, в которых соседние лучи получают противоположные фазы. Это достигается вырезанием в стекле маски отверстий двух разных глубин, а разница между ними и равна половине длины волны. В результате 193-нм излучение оставляет на кремниевой пластине следы толщиной всего 35 нм!

При размерах препятствий, сравнимых с длиной волны, излучение огибает их подобно морской волне, смыкающейся за небольшой скалой. Поэтому шаблоны приходится делать с учетом того, что острые углы сгладятся и тень на кремниевой подложке будет лишь напоминать форму маски. Для 65-нм процесса применяются шаблоны, созданные по технологии Advanced OPC (Advanced Optical Proximity Correction — улучшенная оптическая приближенная коррекция). По всему периметру шаблона добавлены небольшие прямоугольнички, позволяющие добиться большего соответствия между желаемой и получаемой формой элементов транзистора. По такой маске далеко не просто предсказать конечную форму элемента на кремниевой пластине.

Атака на транзистор
Схема транзистора. Источник: АМД

Изменениям подвергаются и все элементы транзистора (см. на рисунке структуру современного МОП-транзистора). Сток и исток будут состоять из «растянутого», а точнее, «напряженного» кристаллического кремния. В атомарную решетку для транзисторов n-типа добавлен Si3N4 (силикат азота) или, для транзисторов р-типа, GeSi (силикат германия), который вызывает сжатие пространственной решетки. Эти добавки обеспечивают благоприятные условия для протекания тока, выстраивая зону проводимости. Благодаря применению второго поколения данной технологии в 65-нм техпроцессе удалось на 10—25% повысить проводимость стока и истока, увеличив себестоимость транзистора всего на 2%.

Фрэнк Спинглер, вице-президент подразделения корпоративных технологий компании Intel, заявил, что его корпорация для перехода на 45-нм технологии планирует изменить материал диэлектрика затвора. Сейчас используется оксид кремния, SiO2, но при 90-нм техпроцессе его толщина составляет всего 1,2 нм, т. е. пять атомных слоев, а при 65-нм нормах она будет равна уже трем-четырем слоям. Столь тонкая прокладка между электродами вызывает токи утечки (туннельный эффект позволяет электронам проходить даже через изоляторы), а значит, повышает примерно на 40% энергопотребление и тепловыделение транзистора. Многие компании ищут материал для изолятора с высоким диэлектрическим сопротивлением, чтобы повысить толщину зазора между затвором и каналом, не нанося ущерба процессу управления током между истоком и стоком. Материал, который применит Intel, будет объявлен ближе к запуску 45-нм производства. Предполагаю, такая микросхема появится уже к 2005—2006 гг.

Ф. Спинглер показывает толщину слоя оксида. Масштаб 1 000 000 000:1

Однако новое вещество изолятора несовместимо с кремнием, что приводит к повышению энергозатрат и снижению скорости переключения транзистора, а следовательно, производительности микросхемы в целом. Поэтому будет изменен и материал транзистора — его станут изготовлять из металла, вещество — секрет.

А вот AMD не скрывает, что затвор для 45-нм техпроцесса будет состоять из силиката никеля, NiSi. Компания решила не применять вещество с высокой диэлектрической проницаемостью, считая его неэффективным. Управление током транзистора будет производиться комплексом из трех затворов — AMD применит трехзатворные транзисторы.

Если материал для изолятора затвора должен, по версии Intel, иметь повышенное диэлектрическое сопротивление k (в 65-нм процессе в качестве изолятора пока используется оксид кремния), то прокладка между медными соединениями, наоборот, должна обладать как можно меньшим k. Применение в 65-нм техпроцессе нового материала с более низким k позволило повысить скорость распространения сигнала в кристалле и снизить энергопотребление, а также добавить восьмой слой медных соединений.

Сложно предсказывать, какие дальнейшие шаги предпримут производители полупроводников, но прогнозируется, что для получения 32-нм техпроцесса понадобится уже коренным образом заменить оборудование литографии — перейти на излучение «экстремальный» (точнее, дальний) ультрафиолет — излучение с длиной волны 13 нм. Выпуск микросхем по 32-нм норме в промышленных масштабах намечен на 2009 г. Так что до конца десятилетия есть все шансы сохранить закон Мура.

Производители очень любят указывать не только норму техпроцесса, но и меньшую по величине ширину канала затвора. Отмечу, что до 2001 г. норма (размер минимального элемента) в готовом транзисторе последующего поколения оказывалась меньше ширины затвора в транзисторах предыдущего. А после 2001 г. она стала возрастать, и, по-моему, это свидетельствует о том, что все-таки исследователям становится все труднее выполнять закон Мура, т. е. уже виден свет последней лампочки в туннеле, пусть и не близкий.

574