Сразу три группы ученых, в том числе одна из Массачусетского технологического института, опубликовали доклады, посвященные свойствам диселенида вольфрама — материала толщиной в несколько атомов, перспективного с точки зрения изготовления сверхтонких, легких и гибких оптоэлектронных устройств. Обычно полупроводник получают с помощью необратимого процесса — легирования исходного материала атомами другого. Разные комбинации материалов позволяют получить полупроводник p- или n-типа. Но селенид вольфрама можно заставить работать на перенос заряда электронами или дырками, просто если разместить его тончайшую пленку в тесном соседстве с металлическим электродом и поменять полярность напряжения на нем, утверждают исследователи. По их словам, в ходе экспериментов они получили диод, очень близкий к идеальному, — «полупроводниковое устройство, электрически легированное так, что оно было наполовину p-, наполовину n-типа».

Поделитесь материалом с коллегами и друзьями

Купить номер с этой статьей в PDF