Ученые тайваньского Национального Университета Цзяо Дуна и Японского технологического института объявили о разработке нового метода изготовления многоуровневой флэш-памяти, предусматривающего использование белкового материала. Заряд в такой памяти хранится на наночастицах металлоксидного полупроводника, но формируется чип нетрадиционным образом — его слои связывают друг с другом с помощью пептида ферритина. Как утверждается, такая память выдерживает больше 10 тыс. циклов записи-стирания, что сопоставимо с лучшими образцами флэш-памяти потребительского класса.

Поделитесь материалом с коллегами и друзьями

Купить номер с этой статьей в PDF