Samsung Electronics приступает к серийному выпуску оперативной памяти DDR4, обещающей более высокие быстродействие и надежность, а также меньшее потребление энергии, чем у DDR3. Память нового типа в Samsung выпускают по технологическому процессу 20 нм. Скорость обмена данными с такой памятью — 2667 Мбит/с, в 1,25 раза быстрее, чем у DDR3 с тем же топологическим размером элемента, а потребление энергии — на 30% меньше, утверждают в компании. В компании уверены, что благодаря скорому началу серийного выпуска ее четырехгигабитных микросхем DDR4 быстро появится спрос на модули памяти емкостью по 16 и 32 Гбайт.