В Калифорнийском университете Лос-Анджелеса изобрели радикально усовершенствованный вариант магниторезистивной оперативной памяти. Свой вариант инженеры называют магнитоэлектрической памятью (MeRAM). Ее преимущества — крайне низкое потребление энергии, большая плотность, высокая скорость записи/считывания и энергонезависимость. Магнитная память, основанная на методе переноса спинового момента (spin transfer torque, STT), требует для записи данных достаточно сильного электрического тока и выделяет немало тепла. В MeRAM вместо тока при записи используется разность потенциалов, в результате вырабатывается существенно меньше тепла, и энергоэффективность повышается в 10-1000 раз, утверждают разработчики. Плотность же MeRAM, по их словам, может быть впятеро с лишним больше, чем у MRAM. Ячейка MeRAM состоит из двух магнитных и ряда изолирующих слоев. Ориентация одного из магнитных слоев фиксирована, другая меняется электрическим полем. При его включении между магнитными слоями создается разность потенциалов, заставляющая электроны аккумулироваться на поверхности слоя либо уходить.