EMD3 D064M 64Mb DDR3 ST-MRAM
ОБРАЗЦЫ первого чипа EMD3 D064M 64Mb DDR3 ST-MRAM уже отправлены производителям систем
Источник: Everspin

Компания Everspin Technologies анонсировала первую в отрасли микросхему ST-MRAM, которая предлагается в качестве энергонезависимой альтернативы памяти DRAM. (Технология Spin-Torque Magnetoresistive RAM представляет собой разновидность магниторезистивной памяти, основанную на так называемом переносе спинового момента. — Прим. ред.)

Новый тип памяти работает примерно в 500 раз быстрее флэш-памяти NAND и при этом столь же надежен и долговечен, как и память DRAM. Аналитики отрасли считают, что память ST-MRAM может стать дополнением к флэш-памяти NAND, применяемой в твердотельных накопителях (Solid State Drive, SSD).

В компании Everspin микросхемы ST-MRAM предлагают использовать в качестве буферной памяти твердотельных накопителей, кэш-памяти подсистемы ввода-вывода и сетевых устройств, а также для создания сверхбыстрого уровня хранения. Сегодня некоторые производители памяти DRAM предлагают для этих же целей свои продукты.

«Насколько мне известно, в Everspin первыми предложили такое решение, и мы видим, что потенциальные клиенты уже проявляют интерес к технологии ST-MRAM, которая наряду с памятью NAND будет применяться в подсистемах хранения ЦОД», — отметил Джозеф Ансворт, вице-президент Gartner по исследованиям.

Чип емкостью 64 Мбит станет первым образцом продукции ST-MRAM, которую предлагает Everspin. Компания планирует вывести емкость микросхем высокоскоростной памяти на гигабитный уровень. Образцы первого чипа EMD3D064M 64Mb DDR3 ST-MRAM уже отправлены производителям систем.

Спрос на микросхемы DRAM снижается, и стоимость предложений продолжает падать. Цена наиболее популярных микросхем DRAM DDR3 емкостью 2 Гбит в первом квартале 2012 года опустилась ниже 1 долл. Сегодня они продаются за 82 цента.

Чип ST-MRAM от Everspin емкостью 64 Мбит функционально совместим со спецификациями интерфейса DDR3 отраслевого стандарта JEDEC, который позволяет выполнять до 1,6 млрд операций пересылки в секунду. Пропускная способность памяти, работающей с наносекундной задержкой, при этом может достигать 3,2 Гбайт/с.

Чип MRAM емкостью 1 Гбит потребляет 400 милливатт электроэнергии. Это вполне сравнимо с энергопотреблением микросхем флэш-памяти NAND емкостью 64 Гбит (они потребляют 80 милливатт).

Рекомендуемые цены на новые микросхемы ST-MRAM пока не объявлены, но ожидается, что новая память будет приблизительно в 50 раз дороже флэш-памяти NAND. При такой стоимости рассчитывать на ее массовое использование не приходится. Но зато что касается производительности, то память ST-MRAM способна выполнять 400 тыс. операций произвольного ввода-вывода в секунду при использовании блоков размером 4 Кбайт, тогда как флэш-память NAND обслуживает только 800 операций случайного ввода-вывода.

Наряду с памятью с изменением фазового состояния и мемристорами, память ST-MRAM относится к категории перспективной энергонезависимой памяти с малым временем задержки.

В Everspin утверждают, что чипы MRAM плотностью 64 Мбит являются идеальным компонентом для начала формирования энергонезависимых буферов и кэш-памяти для твердотельных дисков, массивов хранения RAID и программно-аппаратных систем хранения. Микросхема емкостью 64 Мбит станет хорошим дополнением для уже существующих технологий недорогой памяти. Такое решение позволит уменьшить общую стоимость системы и ее сложность.

Одним из примеров потенциального использования новых чипов ST-MRAM является организация хранения в облаке. По мере увеличения числа клиентов, обращающихся к сервисам хранения больших объемов данных, растет потребность в средствах более быстрого доступа к информации.

Технология Spin-Torque использует для переключения поляризованные электроны с заданным состоянием спина. Данные хранятся не в виде электрического заряда, а в виде определенного магнитного состояния. Таким образом формируется энергонезависимый бит памяти, который, в отличие от флэш-технологии NAND, не подвержен физическому износу и не теряет информацию при ее продолжительном хранении.

Поделитесь материалом с коллегами и друзьями

Купить номер с этой статьей в PDF