СОЗДАТЕЛИ ПАМЯТИ нового типа утверждают, что по производительности один «куб» HMC превосходит модуль DDR3 в 15 раз Иллюстрация: www.hybridmemorycube.org
СОЗДАТЕЛИ ПАМЯТИ нового типа утверждают, что по производительности один «куб» HMC превосходит модуль DDR3 в 15 раз
Иллюстрация: www.hybridmemorycube.org

Компании Samsung Electronics и Micron Technology анонсировали создание консорциума, который будет заниматься проектированием памяти с низким энергопотреблением Hybrid Memory Cube, способной через несколько лет прийти на смену модулям DDR3 в высокопроизводительных компьютерах.

Консорциум Hybrid Memory Cube Consortium призван объединить усилия производителей устройств и разработчиков микросхем, направленные на популяризацию нового типа памяти.

Память Hybrid Memory Cube (HMC) обещает превзойти существующие технологии (в частности, DDR3 DRAM) как по производительности, так и по эффективности энергопотребления. «Эта память ориентирована прежде всего на рынок сетевого оборудования и сектор высокопроизводительных вычислений», — сообщил Скотт Грэм, выполняющий в компании Micron обязанности генерального менеджера группы продуктов DRAM.

Конкретные сроки появления памяти нового типа на рынке пока не называются. Первоначальные ее спецификации будут опубликованы в следующем году. Грэм ожидает, что промышленное производство будет развернуто в 2015 году.

Память типа HMC в сентябре была продемонстрирована корпорацией Intel, проектирующей экспериментальный процессор для компьютера, который будет работать от солнечной энергии. Представители Intel заявили, что HMC обеспечивает в семь раз более высокую эффективность энергопотребления по сравнению с существующей памятью DDR3.

На сайте консорциума говорится, что по производительности один «куб» HMC превосходит модуль DDR3 в 15 раз. Кроме того, по сравнению с DDR3 он потребляет на 70% меньше электроэнергии в пересчете на один бит.

Ожидается, что на смену памяти DDR3, устанавливаемой сейчас в большинство новых компьютеров, придет DDR4. Аналитики полагают, что DDR4 начнет появляться в ПК и серверах на рубеже 2014-2015 годов.

«Память HMC была разработана Micron в тесном сотрудничестве с Intel, — сообщил Майк Ховард, главный аналитик компании IHS iSuppli, курирующий рынок памяти и микросхем DRAM. — К числу ключевых партнеров Micron относится компания Samsung — один из самых крупных в мире производителей памяти, который может сделать многое для продвижения новой памяти».

Связь между контроллером и чипами HMC осуществляется через соединение Through Silicon Via. Особенно многообещающим применение микросхем HMC представляется в серверах, где один куб памяти способен заменить 10 модулей DDR3 DIMM.