Более компактные и энергоэффективные микросхемы можно было бы изготавливать из молибденита (MoS2): согласно результатам исследования, проведенного в Федеральной политехнической школе Лозанны, молибденит имеет высокий потенциал в качестве основы очень компактных транзисторов, светодиодов и солнечных элементов питания. По сравнению с кремнием он более компактен: в пласте MoS2 толщиной 0,65 нм электроны могут перемещаться с такой же скоростью, как в 2-нанометровом пласте кремния. Также у молибденита есть преимущество перед графеном, поскольку он имеет запрещенную энергетическую зону, что обеспечивает более высокую степень контроля над поведением электронов и простоту переключения транзистора, тогда как у графена запрещенной зоны нет.

Поделитесь материалом с коллегами и друзьями

Купить номер с этой статьей в PDF