В рамках пятилетнего проекта, проведенного группой исследовательских учреждений во главе с Технологическим институтом шт. Джорджия, разработана конструкция микросхем на основе кремния-германия (SiGe), пригодных для применения в экстремальных условиях космоса: чипы способны выдерживать радиацию и колебание температур в широких пределах. Проект финансировался агентством NASA. Наряду с научными учреждениями в разработке участвовали компании BAE Systems, Boeing, IBM и Lynguent. По завершении проекта исследователи предоставили NASA набор инструментов моделирования, готовых схем и конструкций различных подсистем, а также технологий изготовления корпусов и рекомендации по тестированию изделий на готовность к работе в условиях космоса. Разработчики создали действующий прототип «космического электронного модуля» — 16-канального интерфейса общего назначения для приема показаний датчиков.

Поделитесь материалом с коллегами и друзьями

Купить номер с этой статьей в PDF