Ученый мир охвачен изучением способов практического использования графена. Плоская кристаллическая решетка атомов углерода толщиной в один атом обладает не только огромной прочностью, но и уникальными электрическими свойствами, что делает его потенциальным кандидатом на замену кремния в традиционных транзисторах. Несколько лет назад голландские ученые показали, что графен может служить материалом для биполярных сверхтоковых транзисторов, а недавно ученые Университета Райса продемонстрировали создание на основе графена амбиполярных транзисторов, способных, благодаря электрическим свойствам графена, переключаться между тремя режимами — с электропроводностью канала n-типа, p-типа, а также в режиме умножителя частоты. Графеновые транзисторы намного быстрее кремниевых: в экспериментах уже достигалась скорость, вдесятеро превышающая скорость лучших современных кремниевых транзисторов, а теоретически она может быть в тысячи раз выше. Впрочем, проблемой остается массовое производство графена.

Поделитесь материалом с коллегами и друзьями

Купить номер с этой статьей в PDF