В Samsung начали производство первых на рынке микросхем флэш-памяти с плотностью в 3 бит на ячейку с использованием 20-нанометрового техпроцесса на 20 нм. Масштаб элементной базы этих схем примерно на 14% меньше, чем у предыдущего поколения, а емкость в битах стала больше в два раза. Кроме того, в микросхемах реализован асинхронный интерфейс ToggleDDR версии 1.0, обеспечивающий в потенциале пропускную способность до 133 Мбит/с. Объем одной микросхемы составляет 64 Гбит. Предыдущие варианты многоуровневых ячеек флэш-памяти обладали емкостью в 2 бит на ячейку.

Поделитесь материалом с коллегами и друзьями

Купить номер с этой статьей в PDF