В настоящее время Toshiba и SanDisk наращивают объем производства флэш-памяти за счет размещения производственных линий на неиспользуемых площадях завода Fab 4, который планируется вывести на полную мощность ко времени ввода в эксплуатацию Fab 5

Цены на микросхемы флэш-памяти NAND растут, однако, в последнее время медленнее. Поскольку строительство заводов обходится дорого, производители флэш-памяти, такие как Samsung, Micron и Toshiba, неохотно тратят деньги на новые фабрики, отмечают эксперты.

В Toshiba заявляют, что Fab 5 строится в расчете на то, что будет расти спрос на флэш-память для традиционных и новых применений, таких как смартфоны и твердотельные накопители (Solid State Drive, SSD). В компании надеются, что благодаря наращиванию производственной мощности Toshiba и SanDisk смогут оперативно реагировать на рост рынка и повысить свою конкурентоспособность.

Строить здание завода планируется в два этапа. Первую фазу предполагается завершить уже весной следующего года. После полного ввода в действие Fab 5 сможет сравниться по производственной мощности с другим заводом двух компаний — Fab 4. Площадь земли, занимаемая новой фабрикой, составит около 38 тыс. кв. м, а общая площадь помещений — 187 тыс. кв. м. Штат предприятия будет насчитывать примерно 4,3 тыс. сотрудников, в том числе 250 инженеров.

«Мы с нашим партнером SanDisk будем постепенно увеличивать производственную мощность в соответствии с рыночными условиями», — заявил старший корпоративный вице-президент Toshiba Киеши Кобаяши.

Производство на Fab 5 будет вестись по самому современному на данный момент технологическому процессу, используемому Toshiba, — 20 нм.

В Йоккаичи у Toshiba имеется еще четыре завода по выпуску флэш-памяти NAND. Сейчас корпорация совместно с SanDisk наращивает объем производства за счет размещения производственных линий на неиспользуемых площадях завода Fab 4, который планируется вывести на полную мощность ко времени ввода в эксплуатацию Fab 5.

Строительство новой фабрики станет первым шагом Toshiba на пути к массовому выпуску микросхем флэш-памяти нового поколения: компания намерена расширить ассортимент своей продукции трехмерной памятью, ячейки которой будут размещаться вертикально.

По словам президента и генерального директора компании Toshiba Норио Сасаки, предпринимаемые шаги должна помочь Toshiba добиться поставленной цели — увеличить в течение ближайших трех лет среднегодовые темпы роста своего полупроводникового бизнеса до 8%. Для обеспечения роста в этой и других сферах бизнеса компания увеличит совокупные капитальные затраты на 74% по сравнению с прошлогодними вложениями. Дополнительные 10% планируется инвестировать также в научно-исследовательские и конструкторские разработки. Примерно половина общих капитальных затрат и треть расходов на научные исследования при этом будет приходиться на электронный бизнес Toshiba.

Поделитесь материалом с коллегами и друзьями

Купить номер с этой статьей в PDF