Обычная статическая память SRAM способна достичь таких показателей только при использовании 15-нанометровых технологий. Плотность записи у новых ячеек памяти в четыре раза превышает плотность записи современных 32-нанометровых ячеек SRAM. Кроме того, она потребляет в четыре раза меньше энергии в фоновом режиме и обладает в тысячу раз меньшим уровнем ошибок, вызванных накоплением статических зарядов.

Поделитесь материалом с коллегами и друзьями

Купить номер с этой статьей в PDF