Альянс компаний, куда входят IBM, Chartered Semiconductor Manufacturing, GlobalFoundries, Infineon Technologies, Samsung и STMicroelectronics, приступает к разработке 28-нанометрового процесса массового производства экономичных микросхем на базе МДП (металл-диэлектрик-полупроводник)-структур с диэлектриком с высоким значением диэлектрической постоянной и металлическим затвором (HKMG). Микросхемы на основе HKMG потребляют меньше энергии, что особенно важно для мобильных устройств. Первые попытки производства по 28-нанометровому процессу планируются на вторую половину 2010 года. Создание 32-нанометрового процесса дало важный опыт реализации технологии HKMG, и компании намерены обеспечить простой путь миграции с 32 на 28 нм.

Поделитесь материалом с коллегами и друзьями

Купить номер с этой статьей в PDF