Растворимость «засвеченных» участков меняется, затем они смываются с помощью жидкости-«проявителя». При разработке техпроцесса 32 нм объектом особого внимания исследователей Национального института стандартов и технологий США стали явления, происходящие на границах между облученным и необлученным фоторезистом: на границах облученных участков проявитель проникает на несколько нм в незасвеченный резист; этот «интерфейсный» регион немного набухает, а после высыхания сжимается. Выяснилось, что величина набухания при этом такова, что в итоге границы между засвеченными и незасвеченными регионами могут оказаться слишком грубыми. Однако благодаря проведенным измерениям ученые расчитывают изменить состав резиста таким образом, чтобы обеспечить оптимальную степень набухания.

Поделитесь материалом с коллегами и друзьями

Купить номер с этой статьей в PDF