Новые чипы позволяют выпускать модули памяти объемом до 32 ГбайтКомпания Samsung Electronics представила первую микросхему памяти DDR3 DRAM емкостью 4 Гбит. При ее производстве будет применяться литографический процесс с нормой проектирования 50 нм. Новый чип, вдвое превосходящий своих предшественников по плотности размещения элементов, позволяет выпускать модули памяти объемом до 32 Гбайт.

Появление микросхем памяти DDR3 емкостью 4 Гбит с пониженным энергопотреблением позволит владельцам центров обработки данных сократить затраты за счет уменьшения количества размещенных там систем хранения, улучшения управления машинным временем и повышения общей эффективности.

В сентябре в Samsung анонсировали разработку первой в мире микросхемы DDR3 DRAM емкостью 2 Гбит, изготовленной по технологии 50 нм. Теперь данный технологический процесс используется при создании целого ряда высокопроизводительных продуктов DDR3, в которых применяются чипы на 4, 2 и 1 Гбит.

Аналитик компании Convergent Semiconductors Боб Мерритт заметил, что появление микросхем памяти с более высокой плотностью размещения элементов должно повлечь за собой существенную экономию для конечных потребителей, поскольку производители компьютеров также будут закупать необходимые им компоненты по более низким ценам. Значительное увеличение плотности элементов энергонезависимой памяти привело к снижению объемов продаж микросхем памяти, однако, делая серьезную заявку на лидерство в данном сегменте рынка, Samsung может претендовать в перспективе на большую долю рыночного пирога.

По оценкам IDC, на долю DDR3 DRAM в нынешнем году придется 29% общего объема продаж на рынке памяти DRAM, а в 2011 году она вырастет до 75%. Продажи микросхем DDR3 емкостью 2 Гбит и выше составят 3% общего оборота рынка DRAM в 2009 году и 33% — в 2011-м.

Максимальная пропускная способность чипов DDR3 составляет 1,6 Гбит/с. На базе 4-гигабитных микросхем DDR3 будут выпускаться двусторонние модули памяти объемом 16 Гбайт для серверов, небуферизованные модули DIMM объемом 8 Гбайт для настольных ПК, а также компактные модули DIMM на 8 Гбайт для ноутбуков.

Напряжение питания микросхем DDR3 DRAM емкостью 4 Гбит составляет 1,35 В, что позволяет увеличить их пропускную способность на 20% по сравнению с предшественниками, подключавшимися к напряжению 1,5 В. В модуле объемом 16 Гбайт благодаря увеличенной плотности размещения элементов на 4-гигабитных микросхемах DDR3 при определенных условиях уровень энергопотребления можно снизить на 40% по сравнению с 2-гигабитными моделями.

Поделитесь материалом с коллегами и друзьями

Купить номер с этой статьей в PDF