Компания Samsung Electronics представила образцы 1,8-дюймовых и 2,5-дюймовых 64-гигабайтных твердотельных накопителей данных со сверхбыстрым интерфейсом SATA II/native. Накопители основаны на технологии Samsung NAND, в которой используется комбинация микросхем с одноуровневыми ячейками емкостью 8 Гбайт, выполненных по 50-нанометровому техпроцессу. Новинки имеют скорость чтения/записи 120 и 100 Мбайт/с соответственно, потребляют максимально 0,7 Вт и выдерживают в рабочем состоянии вибрации до 20g. Заявленное время наработки на отказ достигает 2 млн. часов.

Поделитесь материалом с коллегами и друзьями