Динамическая оперативная память хранит биты данных в виде заряда (или его отсутствия). Но с повышением плотности памяти и соответствующим уменьшением размеров ячеек удерживать заряд в них становится все сложнее. Специалисты Центра прикладной наноионики Аризонского университета еще несколько лет тому назад предложили хранить биты в виде сопротивления, а не заряда, и разработали соответствующую технологию, которой заинтересовались в ряде компаний. Однако микросхемы нового типа требовали веществ, не используемых в производстве обычной памяти, и недавно в Центре доработали свою идею, создав резистивную память на основе кремния, легированного обычной медью. Такая память является энергонезависимой, а кроме того, ее надежность с уменьшением размера ячейки не страдает, что позволит радикально повысить плотность хранения.

Поделитесь материалом с коллегами и друзьями