По прогнозу специалистов НИИ промышленных технологий Тайваня, память на фазовых состояниях (Phase-Change Random Access Memory, PRAM), разрабатываемая в настоящее время в учреждении, появится на рынке через три года. Институт начал разработку PRAM совместно с шестью тайваньскими производителями микросхем около двух лет тому назад. На сегодня альянс получил уже около 50 патентов на новую технологию, создал прототипы микросхем и готовые кремниевые основы. PRAM является энергонезависимой, но при этом обеспечивает скорость перезаписи, в 30 раз большую, чем у флэш-памяти. Не исключено, что тайваньское научное учреждение не будет первым, кто выпустит PRAM на рынок, поскольку независимо от него память данного типа разрабатывают еще несколько компаний.

Поделитесь материалом с коллегами и друзьями