Процесс записи значения в ячейку магниторезистивной памяти (состоящий в смене поляризации одного из двух ферромагнитных слоев, разделенных немагнитным материалом), требует приложения магнитного поля. Однако с уменьшением размеров ячейки при смене очередного поколения MRAM возрастает количество «ложных» операций записи в соседние с целевой ячейки в связи с влиянием активизируемого поля и на них.Ученые Аргоннской национальной лаборатории США ведут исследование, нацеленное на обеспечение возможности перезаписи MRAM вообще без использования магнитного поля. С помощью наконечника сканирующего туннельного микроскопа высокого разрешения им удалось вызвать спиновый ток (перенос намагниченности без переноса заряда) в магнитной структуре атомных размеров. Когда спиновый ток достаточно силен, направление намагниченности структуры меняется на противоположное, причем на соседнюю ячейку это не влияет.

Поделитесь материалом с коллегами и друзьями