Компания Hynix лицензировала инновационную технологию оперативной памяти Z-RAM у ее разработчика, швейцарской фирмы Innovative Silicon, для использования в микросхемах DRAM. Z-RAM позволяет удвоить емкость микросхемы, не увеличивая ее размеров по сравнению с обычными и не повышая себестоимость изготовления. Z-RAM предусматривает использование однобитовых ячеек, состоящих из одного транзистора, и изготовление кристаллов из основ, выполненных по методу «кремний на изоляторе». В традиционной DRAM ячейки состоят из пары элементов — транзистора и конденсатора. В ISi же необходимая электрическая емкость обеспечивается за счет кремниевого слоя SOI. Благодаря отказу от конденсаторного элемента размер ячейки уменьшается.