Techworld.com

Компания Fujitsu представила 2-мегабитные ферроэлектрические чипы памяти FRAM (Ferroelectric RAM), вдвое превышающие по плотности предыдущие модели (их емкость составляет 1 Мбит). Эта технология объединяет в себе достоинства обычной памяти DRAM и энергонезависимой памяти, такой как флэш-память.

По своему устройству память FRAM аналогична DRAM, но снабжена ферроэлектрическим слоем, благодаря которому удается обеспечить энергонезависимость. Такая память по ряду параметров превосходит флэш-память, которая сейчас доминирует на рынке среди представителей энергонезависимых устройств хранения. К числу таких параметров относятся сниженное энергопотребление, более высокая скорость записи и большее максимально допустимое количество циклов стирания/записи — до 10 млрд. Устройство способно хранить данные без подачи питания в течение десяти лет.

Флэш-память имеет ряд недостатков: для записи и стирания требуется достаточно много энергии, скорость записи недостаточно высока, также для этих устройств имеются ограничения по числу циклов стирания/записи. К преимуществам такого типа памяти относятся высокая плотность хранения — сейчас объем флэш-памяти доходит до нескольких гигабит — и низкая стоимость хранения в расчете на бит.

Объединение характеристик обычной и флэш-памяти делает FRAM пригодной для приложений, от которых требуется экономичность в отношении электропитания, высокая скорость записи и увеличенный цикл стирания/записи. К таким приложениям относятся автомобильные навигационные системы, многофункциональные принтеры и измерительная аппаратура. Если прекращается подача питания к измерительным приборам, данные на высокой скорости записываются в память FRAM, что предотвращает их потерю.

Основными конкурентами FRAM являются технологии MRAM (magnetorestitive RAM — «магнитно-резистивная память») и PRAM (phase-change RAM — «память на основе фазовых переходов»). Компании Fujitsu и Ramtron начали производство микросхем FRAM емкостью 1 Мбит в 2006 году. По словам представителей Fujitsu, показатель в 2 Мбит — это наибольшая емкость памяти FRAM, производящейся массовыми партиями. Летом 2006 года Freescale Semiconductor освоила производство микросхем памяти FRAM емкостью 4 Мбит, но они до сих пор выпускаются только ограниченными партиями.

Компоновка 2-мегабитных микросхем FRAM компании Fujitsu практически та же, что и у мегабитных моделей. Они уже выпускаются, их цена составляет 2 тыс. йен (16 долл.) при объеме производства в 200 тыс. устройств ежемесячно.

Возможно, название технологии памяти в какой-то мере предопределит их судьбу. Имя «Фрам» носил корабль Фритьофа Нансена — пожалуй, самое мощное деревянное судно своего времени, на котором его легендарный капитан смог достичь Северного полюса.

Поделитесь материалом с коллегами и друзьями