Ученые Национального института стандартов и технологий США при содействии южнокорейских коллег изготовили энергонезависимое запоминающее устройство на кремниевых нанопроводниках. Последние были выращены на многослойной подложке — структуре вида оксид-нитрид-оксид. Приложение положительного напряжения к проводникам заставляет электроны перемещаться из них в подложку, заряжая ее. Отрицательное вызывает обратный переход. Таким образом, каждая нанопроволока хранит 0 или 1 в зависимости от местонахождения электронов. Конструкция отличается стабильностью при высоких температурах и доступна для производства по существующим технологиям с несложными модификациями.