Компания Toshiba представила новую технологию визуализации движения электронов и примесей в полупроводниках, позволяющую провести анализ пути распространения зарядов с точностью до 1 нм. Это стало возможным благодаря новой технологии — сканирующей микроскопии сопротивления растекания (SSRM) и, как утверждают в компании, является существенным шагом на пути к созданию чипов по техпроцессу 45 нм и ниже. Высокая точность, необходимая для создания чипов выполненных по техпроцессу 45 нм, требуется для анализа плотности электронов в канале и возможности контроля за примесями, так как даже незначительные различия в характеристиках могут привести к увеличению уровня токов утечки и риску короткого замыкания.

Поделитесь материалом с коллегами и друзьями