Возможность повышения производительности транзисторов в микросхемах при сохранении сегодняшнего топологического размера элемента получена инженерами МТИ под руководством Хесуса Дель Аламо. В числе наиболее перспективных среди них — арсенид индия-галлия, в котором электроны передвигаются намного быстрее, чем в кремнии. Последним достижением группы Дель Аламо стал прототип транзистора длиной 60 нм, который при малом напряжении питания (0,5 В) способен переключаться в два с половиной раза быстрее, чем самые быстрые из кремниевых транзисторов длиной 65 нм. (На фото: транзистор МТИ в разрезе).