Ученые из Университета Иллинойса в Урбана-Шампань побили установленный ранее ими самими рекорд скорости переключения транзистора: созданный ими образец работает на гигантской частоте — 845 ГГц, что на 300 ГГц быстрее по сравнению с достижениями других исследовательских групп. «Супертранзистор» изготовлен из фосфида индия и арсенида индия-галлия. Особый подбор фракций перечисленных веществ позволил повысить скорость электронов и, соответственно, снизить плотность тока и время накопления заряда. Уменьшены и размеры самого транзистора: так, ширина его базы составляет всего 12,5 нм. Работая при комнатной температуре, он переключается на скорости 765 ГГц, а упомянутый рекорд достигнут при охлаждении до -55 °C.

Поделитесь материалом с коллегами и друзьями