. Кроме того, уже при размере 65 нм элементы становятся меньше, чем длина волны света, используемого для переноса маски на кристалл. Для борьбы с этими недостатками AMD и IBM будут использовать три технологии, которые позволят повысить экономическую эффективность производства — это иммерсионная литография, межсоединения со сверхнизкой диэлектрической проницаемостью и улучшенный метод «сжатия» транзисторов, который позволит уменьшить длину затвора, повысив плотность упаковки элементов. AMD и IBM совместно разрабатывают технологии производства микросхем с 2003 года и недавно продлили действие контракта до 2011 года.

Поделитесь материалом с коллегами и друзьями