Служба новостей IDG, Тайбэй

Samsung совершенствует технологии производства микросхем памяти DRAM, готовясь к выпуску новой операционной системы

В Samsung Electronics впервые в мире разработали технологию, позволяющую уменьшить норму проектирования микросхем памяти DDR2 DRAM до 50 нм. Это достижение может существенно способствовать распространению новой операционной системы Microsoft Vista.

Переход на норму проектирования 50 нм позволит по сравнению с используемой сегодня технологией 60 нм повысить эффективность производства на 55% и добиться снижения себестоимости микросхем DDR2 DRAM

Хотя до 2008 года компания не намерена использовать эту технологию в массовом производстве, данная инициатива свидетельствует о подготовке производителей памяти к переходу на Vista. Аналитики Gartner полагают, что пользователи будут переходить на Vista постепенно, а объем установленной в ПК памяти станет определяющим условием при принятии такого решения.

В Microsoft предложили два рекомендуемых варианта конфигурации. Системы, оснащенные 512 Мбайт оперативной памяти, получат от Microsoft логотип Windows Vista Capable PC. Компьютерам с 1 Гбайт памяти будет присвоено еще более высокое звание Windows Vista Premium Ready. Их владельцы смогут в режиме реального времени осуществлять предварительный просмотр уменьшенных вариантов изображений, а также комфортно пользоваться режимом трехмерного переключения задач и функцией масштабирования интерфейса.

Производители ПК уже начали наращивать оперативную память своих систем, готовя их к приходу Vista, чтобы купленный сегодня компьютер не устарел к моменту появления на рынке Vista. Однако если пользователи в массовом порядке начнут приобретать новые ПК, на рынке возникнет дефицит памяти. Быстрый рост цен на микросхемы DDR2 заставил производителей вновь обратить внимание на память DRAM, но время уже упущено. На строительство нового завода по производству DRAM уходит больше года, да и стоит такой проект миллиарды.

В сложившейся ситуации выходом, позволяющим увеличить объемы выпускаемой памяти без строительства новых заводов, представляется совершенствование производственных технологий. Именно поэтому такое внимание уделяется переходу Samsung на технологию 50 нм. Уменьшение нормы проектирования обеспечивает увеличение числа микросхем, сходящих с конвейера, а также способствует росту производительности памяти и снижению ее энергопотребления.

Ключевым фактором успешной разработки технологии 50 нм стал ряд улучшений в архитектуре, в частности использование специальных трехмерных транзисторов — транзисторов избирательного эпитаксиального выращивания (Selective Epitaxial Growth transistor, SEG tr), благодаря которым энергопотребление микросхемы снижается, а ее производительность увеличивается за счет оптимизации скорости прохождения электронов. 

Поделитесь материалом с коллегами и друзьями