Служба новостей IDG, Тайбэй
…выпустив флэш-память, изготовленную по 40-нанометровой технологии
Компания Samsung Electronics представила свою первую микросхему, изготовленную по 40-нанометровой технологии, — флэш-память архитектуры NAND объемом в 32 Гбит. На основе таких схем могут изготавливаться карты памяти, способные хранить до 64 Гбайт данных. Таким образом, Samsung стала лидером в этой области, опередив даже корпорацию Intel, которая делает схемы лишь по 45-нанометровой технологии.
Это уже седьмое поколение архитектуры NAND, в отношении которой Samsung руководствуется правилом, напоминающим закон Мура: компания собирается каждые 12 месяцев удваивать объем флэш-памяти NAND. По словам представителей Samsung, новые разработки жизненно важны для индустрии бытовой электроники, так как покупатели хотят иметь все более компактные устройства с большими возможностями — например, мобильные телефоны со встроенными камерой, микрокомпьютером и цифровым проигрывателем. Кроме того, за последние годы резко выросли требования к объемам памяти для хранения фотографий, видео, музыки и других данных. Еще одна сфера применения NAND — микросхемы для гибридных жестких дисков, которые Samsung выпускает для ноутбуков. Такие диски в качестве кэша используют флэш-память NAND, что значительно ускоряет процесс загрузки и снижает потребление энергии. Новая микросхема, получившая название «система на кристалле» (System-on-Chip, SoC), использует флэш-память NAND объемом до 4 Гбайт в качестве буфера данных. Массовое производство этих схем начнется в ноябре. Кроме Samsung над аналогичными технологиями работают в Seagate и Intel.
Также Samsung представила разработки новой флэш-памяти на основе «ловушек заряда» (Charge Trap Flash, CTF). Как утверждают в компании, со временем эта технология позволит уменьшить характерные размеры элементов схем NAND до 20 нм и изготавливать 256-гигабитные схемы. В 32-гигабитных схемах технологии CTF управляющие затворы транзисторов в пять раз меньше, чем затворы в стандартной схеме с плавающими затворами. В CTF же плавающих затворов нет вовсе: вместо этого временное хранение данных осуществляют элементы из нитрида кремния.
В 30 раз быстрее, в десять раз дольше
Помимо совершенствования существующих типов памяти, Samsung разрабатывает и принципиально новые архитектуры. Одна из таких разработок — память на основе фазовых переходов (Phase-Change RAM, PRAM), которая, как утверждают в компании, заменит флэш-память архитектуры NOR (наряду с NAND она широко используется в сотовых телефонах). В новой архитектуре сочетается высокая скорость передачи данных, сравнимая с DRAM, и способность хранить данные после отключения питания, характерная для флэш-памяти. При этом память типа PRAM практически в 30 раз быстрее флэш-памяти, проще в производстве и имеет в десять раз больший срок службы.
В продаже схемы такого типа появятся в 2008 году, вынудив Samsung конкурировать с компаниями Intel и Spansion — двумя крупнейшими производителями флэш-памяти типа NOR. Кроме того, PRAM придется соперничать и с другими типами памяти, использующимися в мобильных телефонах, в том числе и с DRAM, цены на которую из-за широкого применения в ПК и игровых приставках ниже, чем на большинство других типов памяти. Первые серийные образцы памяти PRAM производства Samsung будут иметь объем 512 Мбит.