В планарных транзисторах затвор размещается на тонком слое изолятора, который не предотвращает утечки тока через толстый слой SOI (кремний на изоляторе). Технология Intel предполагает, что канал изолирован с трех сторон, при этом утечки тока оказываются существенно меньше.

Поделитесь материалом с коллегами и друзьями