и считывания новинки составила 200 Мбайт/с, что также является мировым рекордом. Время доступа составляет 34 мс. До сих пор все микросхемы MRAM, работающие на напряжении 1,8 В, обладали низкой скоростью чтения, что являлось их главным недостатком. В декабре 2004 года тандем производителей обещал создать микросхемы емкостью 254 Мбайт, и теперь эта цель стала достижима. Если компаниям удастся удержать производительность на текущем уровне и при создании более емких микросхем, то появится реальная перспектива их коммерческого выпуска.

Поделитесь материалом с коллегами и друзьями