Служба новостей IDG, Лондон

Intel строит в Израиле фабрику стоимостью 3,5 млрд. долл.

Intel начинает строительство производственных мощностей по выпуску полупроводниковых устройств в городе Кирьят-Гат (Израиль).

Новая фабрика, получившая название Fab 28, будет седьмой по счету фабрикой Intel, на которой применяются кремниевые пластины размером 300 мм. Сейчас Intel имеет пять фабрик в США и одну в Ирландии, где используются такие пластины.

Выпуск микросхем из 300-миллиметровых пластин по сравнению с используемыми ранее 200-миллиметровыми требует на 40% меньше энергии и воды в расчете на микросхему и сокращает производственные издержки корпорации.

Эта фабрика будет иметь «чистый зал» площадью около 18,5 тыс. квадратных метров и станет первой, где будет применяться производственная технология с нормой проектирования 45 нм, а массовый выпуск микросхем по этой технологии начнется во второй половине 2008 года.

Эта технология позволит создавать микросхемы вдвое меньшего размера, чем те, что выпускаются сейчас на базе технологии с нормой проектирования 90 нм. Такое производство в ближайшие несколько лет позволит Intel создать 2 тыс. новых рабочих мест, а израильское правительство предоставит финансовые средства для строительства этой фабрики.

В июле Intel объявила о намерении инвестировать свыше 3 млрд. долл. в строительство второй фабрики в Чандлере (штат Аризона), которая получит название Fab 32. Кроме того, в первом квартале следующего года компания расширяет свое производство в Ирландии.

Поделитесь материалом с коллегами и друзьями