Инженеры компаний Intel и QinetiQ совместно ведут работы по созданию транзистора нового поколения, в котором вместо кремния используется другое вещество — соединение сурьмы и индия. Как заявляют в Intel, транзистор на основе антимонида индия способен работать примерно в полтора раза быстрее аналогичного кремниевого, потребляя при этом на порядок меньше электроэнергии. Такая возможность обусловлена тем, что у антимонида индия существенно выше подвижность электронов по сравнению с кремнием. Прототип, созданный в Intel, представляет собой кремниевый транзистор, имеющий канал, выполненный из антимонида индия. Элемент пребывает в выключенном состоянии до тех пор, пока на его затвор не будет подано напряжение, — работающие таким образом транзисторы применяются в микропроцессорах. Следующая задача, стоящая перед Intel и QinetiQ, — научиться формировать новые транзисторы на кремниевой основе. Пока достигнута лишь возможность формирования элементов нового типа на основах из арсенида галлия, которые значительно дороже в производстве, чем кремниевые.