Служба новостей IDG, Сан-Франциско

IBM и ее партнеры разрабатывают новую технологию памяти

Корпорация IBM совместно с компаниями Infineon Technologies и Macronix International создает технологию памяти, которая может в будущем заменить модули флэш-памяти в компьютерах и переносных устройствах хранения.

Технология Phase-Change Memory (PCM) предполагает использование для хранения данных специального материала, названного материалом с меняющимися фазами. По словам Чанга Лема, менеджера проекта PCM корпорации IBM, этот материал способен менять свою структуру от аморфного до кристаллического состояния. Перераспределение энергии в материале происходит за счет движения электронов.

В компьютерной памяти данные хранятся в виде нулей и единиц. При использовании технологии PCM эта информация представляется в виде состояния материала, где аморфное состояние соответствует 0, а кристаллическая структура — 1.

PCM имеет несколько преимуществ по сравнению с технологией флэш-памяти, в том числе более высокую надежность, которая обеспечивается применением резисторов вместо плавающих затворов, используемых для хранения информации в модулях флэш-памяти.

«Плавающие затворы хранят большое число электронов. Свыше тысячи электронов во флэш-памяти представляют одно бинарное состояние. В PCM бинарные данные представляются за счет изменения сопротивления материала. PCM хранит 1 и 0 в виде состояния материала», — пояснил Лем.

PCM позволит быстрее выполнять операции чтения и записи, чем флэш-память. Как утверждает Лем, можно записывать данные, не стирая предыдущую запись. Во флэш-памяти приходится удалять информацию прежде, чем записать новую. Даже если устройство, содержащее PCM, отключается, память сохраняет данные, являясь, таким образом, энергонезависимой памятью. Флэш-память также относится к энергонезависимой памяти.

Исследования этой технологии пока только начинаются, и PCM может появиться на рынке примерно через пять лет. «Мы рассматриваем это как исследовательский проект, пытаясь выяснить, возможно ли сделать какую-нибудь память столь же быстрой или даже быстрее, чем флэш-память», — пояснил Лем. Такая память, по мнению специалистов IBM, будет применяться в самых разных продуктах, от серверов до устройств бытовой электроники.

Поделитесь материалом с коллегами и друзьями