Служба новостей IDG, Тайбэй

Переход к производству микросхем с нормой проектирования 65 нм в TSMC предваряют предложением промежуточного 80-нанометрового техпроцесса

Компания Taiwan Semiconductor Manufacturing (TSMC), крупнейший в мире контрактный производитель полупроводниковых компонентов, планирует в декабре начать выпуск микросхем с использованием технологии с нормой проектирования 65 нм. Кроме того, в TSMC сообщили, что к 2008 году компания будет готова к производству микросхем с нормой проектирования 45 нм.

В ближайшее время, как подчеркнул глава отдела TSMC по общественным связям Дж. Х. Тзенг, компания сможет предложить технологию производства микросхем с нормой проектирования 80 нм.

Переход на более передовые техпроцессы позволит выпускать полупроводниковые устройства с меньшим уровнем энергопотребления, с более высокой производительностью и более дешевые в силу их меньшего размера.

Сейчас самая передовая технология, которую применяет TSMC при производстве коммерческих микросхем, рассчитана на норму проектирования 90 нм.

Процесс перехода на технологию производства с нормой проектирования 65 нм в TSMC уже начался. В апреле 2004 года компания выпустила свою первую микросхему с нормой проектирования 65 нм — чип статической памяти (SRAM), содержащий свыше 100 млн. транзисторов. За последний год несколько клиентов TSMC, в том числе производитель микросхем программируемой логики компания Altera, получили прототипы своих продуктов, созданные с помощью технологии с нормой проектирования 65 нм.

«Промежуточная» технология производства микросхем с нормой проектирования 80 нм позволит разработчикам сэкономить деньги, в то же время увеличив производительность своих полупроводниковых устройств, когда они перейдут на норму проектирования 65 нм. В последние несколько лет TSMC неоднократно предлагала своим клиентам промежуточное решение — уменьшение «на полшага» — для того чтобы упростить для них переход на более передовую технологию. При переходе с нормы проектирования 90 нм на 65 нм на завершение проектных работ потребуются миллионы долларов. Однако сокращение «на полшага», такое как переход на норму проектирования 80 нм (или прежние 110 нм), позволяет разработчику вносить небольшие изменения в существующие конструкции, в то же время добиваясь снижения затрат и увеличения производительности микросхем.

Скажем, микросхемы, созданные с использованием нормы проектирования 80 нм, могут работать на 20% быстрее, чем аналогичные микросхемы, имеющие норму проектирования 90 нм. Кроме того, благодаря уменьшению размера, компании из каждой подложки смогут производить примерно на 20% больше микросхем с нормой проектирования 80 нм, что тоже позволит снизить расходы.

TSMC будет выпускать микросхемы, используя 65-нанометровый техпроцесс на двух фабриках в Тайване, Fab 12 и Fab 14, где применяются кремниевые пластины размером 300 мм. Fab 12 находится в Ксинчу, а Fab 14 — в Тайнане.

Поделитесь материалом с коллегами и друзьями