Данное вещество меняет фазовое состояние в электрическом поле напряженностью всего 14 В/мкм. Фазовый переход в памяти нового типа занимает в 100-200 раз меньше времени, чем требуется на программирование ячейки флэш-памяти.

Поделитесь материалом с коллегами и друзьями