Исследователи IBM и Advanced Micro Devices совместно разработали новый метод применения так называемого «напряженного кремния» (strained silicon) при изготовлении полупроводниковых компонентов.

Новая методика производства (ей дали название Dual Stress Liner) поможет увеличить производительность процессоров обеих компаний, выпуск которых начнется в следующем году. В IBM и AMD утверждают, что добились значительного увеличения производительности транзисторов, используя при их изготовлении традиционные материалы. О деталях методики представители компаний доложили на конференции International Electron Devices Meeting (IEDM), которая только что завершилась в Сан-Франциско.

Поскольку разработчикам микросхем становится все труднее увеличивать производительность транзисторов только за счет уменьшения размеров последних, исследователи обратились к альтернативным методам. Технология напряженного кремния — это способ либо сжимать, либо растягивать атомную решетку кремния, для того чтобы увеличить скорость движения электронов. Исследователи уверены, что за счет использования технологии напряженного кремния эта скорость увеличится почти на 24%. Технология напряженного кремния будет использована при изготовлении микропроцессоров Opteron и Athlon 64 компании AMD и микропроцессоров IBM Power уже в первой половине 2005 года.

В 2003 году AMD и IBM подписали соглашение о разработке новых технологий производства полупроводниковых компонентов. Недавно компании приняли решение о продлении срока действия данного соглашения до 2008 года.

Поделитесь материалом с коллегами и друзьями