В IBM изобретена новая методика повышения производительности транзистора — за счет размещения слоя германия с растянутой атомной решеткой непосредственно на канале транзистора, в результате чего скорость прохождения электронов по нему увеличивается. Как заявляют в IBM, производительность транзисторов с растянутым германием втрое выше, чем у обычных. Методика успешно опробована, но требует доработки. В IBM надеются, что ее можно будет применять при изготовлении микросхем с топологическим размером элемента 32 нм.

Поделитесь материалом с коллегами и друзьями