Компании Nantero и LSI Logic совместными усилиями пытаются наладить массовый выпуск NRAM-устройств
В устройствах памяти, изготовленных по технологии NRAM, нанотрубки закрепляются на кремниевой подложке, под ними на расстоянии примерно 100 нм располагается углеродный субстрат. Под действием электрического заряда трубка сгибается и входит в соприкосновение с субстратом, что вызывает замыкание электрической цепи. Размыкание цепи также происходит под действием электрического заряда

В компании Nantero утверждают, что новая технология NRAM (Nanotube-based RAM), разработанная ее специалистами, в будущем должна прийти на смену всем существующим формам памяти, используемой в компьютерах. Память на углеродных нанотрубках может стать панацеей для лечения всех «болезней», присущих нынешним технологиям — DRAM, SRAM, флэш-памяти и т. д. Она будет сочетать в себе их лучшие качества — дешевизну (DRAM) и энергонезависимость (флэш-память).

Конечно, без конкурентов NRAM не останется. Соперничать с этой технологией будут такие типы памяти, как PCRAM (Phase-Change RAM) и MRAM (Magnetic RAM). Однако перспективы NRAM специалистам видятся очень неплохими. Так что же особенного в памяти на углеродных нанотрубках?

Во-первых, она быстрее, чем SRAM, дешевле и не теряет своего содержимого при выключении питания. Во-вторых, разработчики обещают, что срок службы устройств NRAM будет практически неограниченным. Со временем они станут более емкими, чем DRAM-устройства при меньшем энергопотреблении. В довершение всего память NRAM должна обладать устойчивостью к радиационному воздействию.

По словам директора Nantero Грега Шмергела, производство памяти на углеродных нанотрубках может быть организовано на базе существующих сейчас КМОП-производств, то есть лавинообразного роста себестоимости продукции можно будет избежать. Достоинства применения NRAM выглядят впечатляюще: начальная загрузка ПК будет осуществляться практически мгновенно, а в серверах появится возможность использовать память, сравнимую по быстродействию со SRAM, но при этом без существенного роста затрат. Это выглядит как рай для всех пользователей и сулит основателям Nantero получение статуса миллиардера.

Впереди — тройное сражение

Толщина углеродной нанотрубки составляет примерно 1/10000 диаметра человеческого волоса, толщина ее стенки сравнима с размерами атома. Трубки закрепляются на кремниевой подложке, под ними на расстоянии примерно 100 нм располагается углеродный субстрат. Под действием электрического заряда трубка сгибается и входит в соприкосновение с субстратом, что вызывает замыкание электрической цепи. Размыкание цепи также происходит под действием электрического заряда.

Возникает естественный вопрос: как наладить массовое производство таких устройств? Ответа на него пока нет. Однако в Nantero уже создали работающий прототип массива NRAM емкостью 10 Гбайт.

Проблему организации серийного выпуска устройств памяти на базе нанотрубок специалисты Nantero решают совместно с компанией LSI Logic, в которой рассчитывают использовать технологию NRAM при разработке ASIC-микросхем следующих поколений (в настоящее время в ASIC-микросхемах LSI Logic применяется флэш-память). Шмергел заявил, что у LSI Logic имеются «производственные мощности мирового класса» и «эта компания является идеальным партнером для перехода к массовому выпуску устройств на основе нанотрубок, выполненных по технологии Nantero». По его словам, процесс производства может быть окончательно доработан к 2006 году.

Заметим, что массовое изготовление устройств памяти типов PCRAM и MRAM также возможно организовать на базе существующих КМОП-производств (естественно, при условии их модернизации). Так что вполне возможно, что через некоторое время мы станем свидетелями настоящего тройного сражения между этими тремя технологиями памяти за место под солнцем.

Поделитесь материалом с коллегами и друзьями