В AMD планируют уменьшить токи утечек в процессорах за счет применения «более традиционных материалов»
В 45-нм процессорах AMD будет применяться технология SOI нового поколения — FDSOI

В компании AMD, так же как и в Intel, намерены в 2007 году начать производство процессоров, при изготовлении которых используется техпроцесс с нормой проектирования 45 нм.

В ходе недавней конференции IEDM (International Electron Devices Meeting), организованной Институтом инженеров в области электротехники и электроники (IEEE) в Вашингтоне, специалисты AMD рассказали о некоторых новшествах, которые планируется внедрить в производство микросхем при переходе к более совершенным технологиям их изготовления.

«По сути то, о чем мы говорим сейчас, есть некий план, который предстоит реализовать на практике, — заявил вице-президент корпорации AMD по разработке технологий Крейг Сандер. — Мы ожидаем, что реализация этого плана приведет нас к выпуску процессоров с нормой проектирования 45 нм». По словам представителей AMD, в таких процессорах будут использоваться затворы с топологическим размером 20 нм.

При переходе к выпуску 45-нм процессоров в AMD намерены начать использовать так называемую технологию «полностью обедненного кремния на изоляторе» — FDSOI (Fully Depleted Silicon On Insulator). Благодаря этой технологии, в компании рассчитывают уменьшить паразитные электрические заряды, накапливаемые в различных частях транзисторов.

Кроме того, в AMD, так же как и в Intel, планируют заменить затворы из поликристаллического кремния металлическими. Это, по словам представителей компании, призвано увеличить токи и способствовать уменьшению утечек. Увеличение межатомных промежутков в токопроводящем канале транзистора (метод локального растяжения) должно способствовать большей подвижности электронов.

Одной из наиболее острых проблем, которые стоят сегодня перед производителями микропроцессоров, является проблема утечки энергии. Представители Intel некоторое время назад объявили, что планируют в 2007 году начать использовать в серийно выпускаемых процессорах в качестве диэлектрика затвора некий материал с «высокой диэлектрической проницаемостью» (high-k), позволяющий снизить токи утечек более чем в 100 раз (см. «Intel идет на компромисс», Computerworld Россия, №46 за 2003 год).

В AMD, как отметил аналитик консалтинговой фирмы Insight64 Натан Бруквуд, собираются бороться с утечками посредством применения «более традиционных материалов». По его мнению, не столь важны технологии, которые AMD намерена использовать в своих процессорах в 2007 году, как сам факт обнародования компанией планов на будущее. «Если раньше представители AMD не стремились делиться информацией о своих планах, то сейчас, по крайней мере, они сообщают хоть что-то», — заметил Бруквуд.

Поделитесь материалом с коллегами и друзьями