На прошедшей в Тайбэе конференции Intel Developer Forum представители Intel анонсировали технологию StrataFlash Wireless Memory System, объединившую сразу две разработки корпорации — методику Multi-Level Cell, позволяющую удвоить емкость каждой ячейки, и механизм разграничения памяти на независимые области для кода и данных. Результатом стала микросхема, содержащая одновременно флэш- и DRAM память общей емкостью до 1 Гбайт. Длина и ширина корпуса микросхемы — всего 8х11 мм; подобная компактность позволит не увеличивать габариты сотовых телефонов с расширенными возможностями, требующих памяти большой емкости. Микросхема также отличается экономичностью — требуемое ей напряжение питания составляет 1,8 В.

Поделитесь материалом с коллегами и друзьями