Исследователи Motorola изготовили рабочий прототип микросхемы флэш-памяти на основе кремниевых нанокристаллов — технологии, которая позволит изготавливать память более высокой плотности с применением существующего оборудования. Применение нанокристаллов позволяет преодолеть некоторые недостатки традиционной флэш-памяти c плавающим затвором, производство которой становится непрактичным с переходом на топологический размер элемента 90 нм. Исследователи лаборатории Motorola Digital DNA поместили кремниевые нанокристаллы, напоминающие сферы диаметром 5 нм, между двумя слоями оксида. Технология позволяет избежать перетекания заряда с одного кристалла на другой; благодаря этому одиночные дефекты оксида не приводят к полной потере заряда, что повышает надежность микросхемы при увеличении плотности упаковки элементов. Прототип изготовлен по 0,9-микронной технологии. Основной трудностью был подбор реактивов и условий для выращивания кристаллов одинакового размера и плотности.

Поделитесь материалом с коллегами и друзьями