Toshiba представляет новые технологии флэш-памяти и FeRAM
Преимущество технологии Mobile DiskOnChip G3 состоит в том, что она сокращает физическое пространство, требуемое для хранения определенного объема информации

Корпорация Toshiba сообщила, что в текущем году она начнет продажи кристаллов флэш-памяти на базе разработанной компанией M-Systems Flash Disk Pioneers технологии, получившей название Mobile DiskOnChip G3. Эта технология позволяет каждой ячейке флэш-памяти хранить вдвое больший объем информации, чем хранит обычная ячейка. Соглашение с M-Systems позволит Toshiba предложить микросхемы памяти емкостью 512 Мбит.

Партнерам удалось расширить число состояний каждого транзистора, то есть теперь транзистор может быть не просто включен или выключен, но и частично включен или частично выключен. Специальный контроллер на кристалле, являющийся частной разработкой компаний, регистрирует эти состояния, за счет чего каждая ячейка памяти может быть использована для хранения двух бит информации вместо одного.

Благодаря тому что контроллер интегрируется на кристалле, остальная система «воспринимает» все устройство как «обычную» память.

Микросхема отличается низким энергопотреблением: в нерабочем состоянии ток составляет 10 мкА по сравнению со 100 мкА для стандартной микросхемы флэш-памяти, отметил Юничи Кишида, старший менеджер подразделения устройств памяти корпорации Toshiba.

Преимущество технологии состоит в том, что она сокращает физическое пространство, требуемое для хранения определенного объема информации. Это ведет к миниатюризации устройств и появлению потребительской электроники еще меньшего размера.

Пробные партии новых микросхем памяти Toshiba предложит в апреле, коммерческие продажи начнутся в сентябре. Как предполагается цена микросхем в пробной партии составит 16 долл.

В Toshiba планируют разработать семейство устройств на базе этой технологии и уже в этом году предложить микросхемы памяти емкостью 256 Мбит — пока минимальной из возможных. В M-Systems рассчитывают, что в будущем году будет готов процессор на 1 Гбит, затем, в 2005-м, — на 2 Гбит.

Вторым достижением корпорации стала разработка в партнерстве с немецкой компанией Infineon Technologies 32-мегабитной микросхемы ферроэлектрической оперативной памяти (FeRAM). Подробная информация об этой разработке была обнародована на конференции International Solid State Circuits Conference. Компа нии работают в партнерстве с 2001 года. В компаниях считают, что FeRAM может заменить собой флэш-память и SRAM, используемые сейчас в мобильных устройствах, поскольку эта технология имеет отличительные качества, свойственные каждому типу памяти. Устройства, основанные на этой технологии, подобно флэш-памяти, не теряют данные даже при отсоединении от источника питания, кроме того, они работают на скоростях, обеспечиваемых SRAM и DRAM.

Поделитесь материалом с коллегами и друзьями