Суть технологии заключается в помещении слоя рутения толщиной в три атома между двумя магнитными слоями, в результате чего частицы в них получают противоположную ориентацию и слои притягиваются друг к другу, формируя термостабильную структуру большой толщины, на которую можно производить запись, как если бы она была тонкой. Применение технологии позволило достичь плотности записи в 25,7 Гбит/кв. дюйм. Для дальнейшего ее повышения решено было добавить еще один слой рутения и еще один магнитный слой. В результате плотность записи TravelStar 80GN инженеры IBM смогли довести до 80 Гбит/кв. дюйм, обогнав прежних рекордсменов Toshiba и Fujitsu (52 и 53,2 Гбит/кв. дюйм соответственно).