Компании будут производить микросхемы флэш-памяти типа И-НЕ емкостью 2 Гбит и 4 Гбит. Такая память отличается высокой скоростью перезаписи и применяется в картах Smart Media, Compact Flash и Secure Digital. Другие производители также совершенствуют флэш-память: так, Samsung начала производство микросхем емкостью 1 Гбит в соответствии с нормой проектирования 120 нм.

Поделитесь материалом с коллегами и друзьями