Intel о новых материалах и структурах для изготовления интегральных схем

Intel анонсировала ряд базовых технологий, которые планируется использовать в будущем при производстве интегральных схем. Эти достижения позволят корпорации продвигаться вперед в деле создания еще более быстрых, компактных и дешевых микропроцессоров.

В ходе конференции Microprocessor Forum представители корпорации сообщили о своих планах применения новых материалов и структур для изготовления микроскопических транзисторов. Помимо дальнейшего наращивания производительности компьютеров, эти технологии позволят наладить выпуск новой элементной базы, в которой повышение вычислительной мощности будет сочетаться с совершенствованием коммуникационных функций. Все это поможет уменьшить стоимость и снизить энергопотребление мобильных телефонов, сетевого оборудования и других устройств.

«Перед нами открывается будущее, когда информация персонифицируется, — отметил вице-президент и директор по технологиям Intel Пат Гелсингер. — Коммуникационное устройство можно будет закрепить на лацкане пиджака, и у человека, независимо от того, где он в данный момент находится и что делает, появится возможность получить мгновенный доступ к интересующей его информации».

По мере дальнейшей миниатюризации транзисторов и увеличения их числа в одной микросхеме на пути инженеров возникают все новые барьеры, препятствующие сохранению темпов технического прогресса, диктуемых сформулированным десятки лет тому назад законом Мура, согласно которому плотность размещения транзисторов удваивается каждые полтора-два года.

Один из вопросов, который предстоит решить инженерам Intel, IBM и ряда других компаний, заключается в том, чтобы найти способ увеличения силы тока, пропускаемого через транзисторы, и не допустить при этом их перегорания или утечки электричества. В IBM планируют выпустить к 2006 году транзистор с «двойными затворами». Это позволит увеличить ток, а следовательно, повысить быстродействие интегральных схем.

Не желая уступать конкуренту, в Intel в свою очередь объявили о намерении создать в середине текущего десятилетия транзисторы, созданные по технологии Tri-Gate. В процессе манипулирования структурами, которые состоят лишь из нескольких десятков атомов, инженеры корпорации нашли способ относительного увеличения площади поверхности каждого из затворов элемента, получив таким образом эквивалент трех затворов для каждого транзистора.

«Время покажет, чье решение окажется более удачным, — заметил главный аналитик компании Insight 64 Натан Бруквуд. — Обе технологии находятся пока лишь на начальном этапе становления, и каждая из сторон в конце концов может отдать предпочтение архитектуре, которая была предложена конкурентом. Для пользователей же самое важное то, что производители инвестируют значительные средства в решения, которые должны помочь преодолеть существующие технологические барьеры».

В Intel объявили о предстоящем переходе на новый материал — соединение кремния и германия (SiGe), что позволит к концу следующего года освоить новый производственный процесс в соответствии с проектной нормой 90 нанометров. Материал, который уже используется IBM, обладает более высокой электрической проводимостью и должен помочь увеличить производительность микросхем. Однако стоит он дороже, и на начальном этапе компания планирует ограничить его применение телекоммуникационным оборудованием.

«Увеличение числа транзисторов в микросхемах позволит Intel оснастить свои процессоры новыми функциональными возможностями, — подчеркнул старший вице-президент и генеральный менеджер группы технологий и производства Intel Санлин Чоу. — В середине десятилетия должна произойти интеграция аналоговых компонентов (например, приемника сигналов в радиочастотном диапазоне) с логическими элементами. В результате мы получим миниатюрный и недорогой радиоприемник в одной микросхеме».

Для пользователей это означает, что любое устройство с процессором Intel будет обладать возможностями беспроводной связи.

Поделитесь материалом с коллегами и друзьями