, которая предусматривает дополнительный затвор, позволяющий снизить нагрев за счет двукратного увеличения пропускаемого тока, и тонкий вертикальный кремниевый «плавник» (fin), уменьшающий утечку тока в периоды нахождения транзистора в выключенном состоянии. Первой FinFET-транзистор с затвором 35 нм выпустила в июне компания TSMC; пообещав со временем уменьшить длину затвора до 9 нм.

Поделитесь материалом с коллегами и друзьями