протекающего по ней туннельного тока в зависимости от направления действия полей магнитов. Созданию эффективной памяти до сих пор мешало то, что атомы металла при помещении на поверхность оксида вместо формирования слоя равномерной толщины группировались в скопления, следствием чего становилась пленка с низким уровнем кристаллизации. Ученые Национальной лаборатории Сандия запатентовали методику формирования пленки металла идеальной кристалличности за счет гидроксилирования поверхности изолятора. При нанесении слоя кобальта его атомы вызывают высвобождение молекулы водорода, становятся оксидированными сами и прочно связываются с верхним слоем оксида. Эти атомы играют роль «якорей», притягивающих к изолятору и остальные атомы металла. Предполагается, что наладить производство такой памяти по новой технологии можно с использованием существующего оборудования: пленку оксида алюминия перед нанесением слоя кобальта достаточно просто подвергнуть воздействию водяного пара под небольшим давлением. Магнитная память сочетает в себе преимущества флэш-памяти и динамической оперативной памяти.

Поделитесь материалом с коллегами и друзьями