Проектировщики также приняли меры по повышению скорости перезаписи. Samsung, в настоящее время ведущая разработку микросхем емкостью 2 Гбит, стала первой, кто начал производство гигабитной флэш-памяти по 0,12-микронной технологии. В Sharp обещают к 2006 году выпустить микросхемы емкостью 16 Гбит, изготовленные по 0,1-микронной технологии.